Меню

Порядок величины обратного тока диода

Характеристики и параметры полупроводникового диода

рис 1.25Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода на постоянном токе (статическая характеристика).

Вольт-амперная характеристика — это зависимость тока i, протекающего через диод, от напряжения u , приложенного к диоду (рис. 1.25). Вольт-амперной характеристикой называют и график этой зависимости.

Вначале будем полагать (см. рис. 1.25), что обратное напряжение (u u /φr- 1)

Тепловой ток is обусловлен генерацией неосновных носителей в областях, прилегающих к области p-n-перехода. Однако часто это идеализированное описание дает неприемлемую погрешность. Особенно большая погрешность возникает при вычислении тока диода, включенного в обратном направлении (U > (φт)) для кремниевых диодов оказывается на несколько порядков меньше реального. В то же время стоит отметить, что в некоторых расчетах обратным током вообще можно пренебречь.

Укажем причины отличия характеристик реальных диодов от идеализированных. Обратимся к прямой ветви вольт-амперной характеристики диода (u> 0,i> 0). Она отличается от идеализированной из-за того, что в реальном случае на нее влияют:

  • сопротивления слоев полупроводника (особенно базы);
  • сопротивления контактов металл-полупроводник.

Важно отметить, что сопротивление базы может существенно зависеть от уровня инжекции (уровень инжекции показывает, как соотносится концентрация инжектированных неосновных носителей в базе на границе перехода с концентрацией основных носителей в базе). Влияние указанных сопротивлений приводит к тому, что напряжение на реальном диоде при заданном токе несколько больше (обычно на доли вольта), чем это следует из формулы.

Обратимся к обратной ветви (u рис 1.26 рис 1.27

Обратимся к режиму пробоя полупроводникового диода и соответствующему участку обратной ветви вольт-амперной характеристики (на рис. 1.27 этот участок не показан).

Диоды многих конкретных типономиналов не предназначены для работы в режиме пробоя. Для них этот режим работы — аварийный. Если при пробое ток в цепи не ограничивается (например, внешним сопротивлением), то диод выходит из строя. В таких приборах при чрезмерном увеличении обратного напряжения (по модулю) практически сразу же начинается тепловой пробой (участок электрического пробоя практически отсутствует).

рис 1.28 1.29

Напряжение начала пробоя для рассматриваемых диодов — величина нестабильная (пробой начинается при u= -u роб, где uпроб— так называемое напряжение пробоя — положительная величина). Изобразим соответствующую вольт-амперную характеристику (рис. 1.28).

Диоды некоторых конкретных типов спроектированы с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени. Такие диоды называют лавинными. Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то его p-n-переход не успевает перегреться и диод не выходит из строя.

Иначе лавинный пробой перейдет в тепловой и диод выйдет из строя.

Изобразим вольт-амперную характеристику для лавинного диода (рис. 1.29).

Лавинные диоды, как правило, более надежны в сравнении с обычными кратковременные (перенапряжения не выводят лавинный диод из строя).

Для некоторых конкретных типов диодов режим пробоя является основным рабочим режимом. Это так называемые стабилитроны, рассматриваемые ниже.

Зависимость барьерной емкости диода от напряжения.

рис 1.30 1.31

Приведем график зависимости общей емкости Сд кремниевого диода 2Д212А от обратного напряжения (основной вклад в общую емкость вносит барьерная емкость) (рис. 1.30).

Для этого диода максимальный постоянный (средний) прямой ток — 1 А, максимальное постоянное (импульсное) обратное напряжение — 200 В.

Временные диаграммы тока и напряжения диода при его переключении.

Обратимся к схеме на рис. 1.31. Предполагается, что вначале ключ К подключает источник напряжения u1, а затем, в момент времени t = 0, источник напряжения u2.

рис 1.32

Предполагается также, что напряжения u1 и u2 значительно больше прямого падения напряжения на диоде. Изобразим соответствующие временные диаграммы (рис. 1.32).

До момента времени t = 0 протекает ток i1, который с учетом принятого условия u1>>u определяется выражением i1=u1/R/ Сразу после переключения ключа К и в течение так называемого времени рассасывания tрас протекает ток i2, который ограничивается практически только сопротивлением R, т. е. i2= — (u1/R). В этот отрезок времени в базе диода уменьшается (рассасывается) заряд накопленных при протекании тока неравновесных носителей. Заряд уменьшается в результате рекомбинации и перехода неосновных носителей в эмиттер.

По истечении времени tpac концентрация неосновных носителей в базе на границе p-n-перехода становится равной равновесной. В глубине же базы неравновесный заряд еще существует. Длительность времени рассасывания прямо пропорциональна среднему времени жизни неосновных носителей в базе и зависит от соотношения токов i1 и i2 (чем больше по модулю ток i2, тем меньше, при заданном токе i1, время рассасывания).

В момент времени t1 напряжение на диоде начинает быстро возрастать по модулю, а ток i уменьшаться по модулю (спадать). Соответствующий отрезок времени tcп называют временем спада. Время спада отсчитывают до того момента t2 которому соответствует достаточно малое (по модулю) значение тока i3.

Время спада зависит от времени жизни носителей, а также от барьерной емкости диода и от сопротивления R схемы.

Чем больше указанные емкость и сопротивление R, тем медленнее спадает ток.

Отрезок времени tвос = tpac + tcп называется временем восстановления (временем обратного восстановления).

После завершения переходного процесса (момент времени t3) через диод течет ток iобр ycm — обратный ток в установившемся режиме (определяемый по статической вольт-амперной характеристике диода).

Для упомянутого выше диода 2Д212А типовое время восстановления — 150 нc (150 · 10

9 с) при i1 = 2 А (импульсный ток) и i2 = 0,2 А.

Параметры диодов.

Для того, чтобы количественно охарактеризовать диоды, используют большое количество (измеряемое десятками) различных параметров. Некоторые параметры характеризуют диоды самых различных подклассов.

Другие же характеризуют специфические свойства диодов только конкретных подклассов.

Укажем наиболее широко используемые параметры, применяемые к диодам различных подклассов:

Iпр макс — максимально допустимый постоянный прямой ток;

Uпp — постоянное прямое напряжение, соответствующее заданному току;

Uобр макс — максимально допустимое обратное напряжение диода (положительная величина);

Iобр макс — максимально допустимый постоянный обратный ток диода (положительная величина; если реальный ток больше, чем Iобр макс , то диод считается непригодным к использованию);

Rдиф — дифференциальное сопротивление диода (при заданном режиме работы).

В настоящее время существуют диоды, предназначенные для работы в очень широком диапазоне токов и напряжений. Для наиболее мощных диодов Iпр макс составляет килоамперы, a Uобр макс — киловольты.

Источник

Характеристики полупроводниковых диодов

Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода представлена на рис. 76 . С увеличением напряжения в направлении проводимости диода (так называемое прямое напряжение) прямой ток через прибор резко увеличивается. При противоположной полярности приложенного напряжения (так называемое обратное напряжение) возникает ток насыщения I0 — обратный ток через n—р-переход, практически не зависящий от величины обратного напряжения.

Читайте также:  Какими носителями заряда создается ток в электролитах электронами положительными ионами

Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода аналитически выражается следующей формулой:

где I — ток, протекающий через диод; q — заряд электрона; k — постоянная Больцмана; I 0 — ток насыщения (обратный ток); T — абсолютная температура.

Рис. 76. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода.

При комнатной температуре q/kT примерно равно 40 1/в, и формула (88) примет вид

I = I 0 (e 40U-1 ). (89)

Из формулы (89) следует, что при положительном (прямом) напряжении, приложенном к n—р-переходу, начиная с напряжения порядка 0,04—0,05 в, экспоненциальный член еои много больше единицы, и ток через n — р-переход с увеличением напряжения резко возрастет.

Наоборот, при отрицательных (обратных) напряжениях, экспоненциальный член е — 40U =1/e 40U будет много меньше единицы, им можно пренебречь и считать, что ток, проходящий через полупроводниковый диод , т. е. обратный ток, равен току, проходящему через n — р-переход при отсутствии внешнего напряжения.

Если обратное напряжение превысит допустимое максимальное напряжение U обр.макс , то наступит перегрев и разрушение диода. Чем больше протяженность отрицательной ветви вольт-амперной характеристики, тем большей способностью выдерживать без пробоя обратное напряжение обладает диод.

Пробой наступает вследствие того, что под действием сильного электрического поля электроны освобождаются от ковалентных связей, увеличивают свою энергию и, двигаясь с повышенными скоростями внутри полупроводника, ионизируют его нейтральные атомы. Появляются новые свободные электроны и дырки, что приводит к лавинообразному увеличению обратного тока, а следовательно, и к перегреву n — р-перехода.

Сопротивление n — р-перехода переменному току в данной точке вольт-амперной характеристики определяется ее наклоном и может быть определено дифференцированием выражения (88):

При комнатной температуре можно считать, что

где I и I 0 — в миллиамперах, R — сопротивление полупроводникового диода — в омах.

Формула (90) и характеристика сопротивления R, представленная пунктиром на рис. 76 , показывают, что с увеличением тока сопротивление перехода падает и составляет величину порядка единиц или даже десятых долей ома. При обратном напряжении, когда I → I 0 , сопротивление n — р-перехода имеет величину порядка десятков и сотен тысяч ом.

Анализ вольт-амперной характеристики полупроводникового диода показывает, что он является нелинейным элементом, его сопротивление меняется в зависимости от величины и знака приложенного напряжения. Эти свойства полупроводникового диода позволяют его использовать для выпрямления переменного тока, преобразования частоты, ограничения амплитуд и т. д.

Для оценки электрических свойств полупроводниковых точечных диодов пользуются следующими параметрами:

  1. Прямой ток — ток, протекающий через диод, когда к нему приложено постоянное прямое напряжение в один вольт.
  2. Обратный ток — ток, протекающий через диод, когда к нему приложено наибольшее постоянное допустимое обратное напряжение.
  3. Обратное пробивное напряжение — напряжение, при котором диод выходит из строя.
  4. Допустимая амплитуда обратного напряжения — наибольшая амплитуда обратного напряжения, которая может быть приложена к прибору в обратном направлении в течение продолжительного времени, не вызывая пробоя.
  5. Среднее значение выпрямленного тока — постоянная составляющая выпрямленного тока диода, которая может протекать через диод долгое время, не вызывая его перегрева.

Для оценки электрических свойств полупроводниковых плоскостных диодов пользуются следующими параметрами:

  1. Подводимое переменное напряжение — максимальное действующее значение переменного синусоидального напряжения в вольтах, которое можно подавать на вход диода в течение продолжительного времени без пробоя.
  2. Прямое падение напряжения — среднее значение напряжения на диоде при максимально допустимом выпрямленном токе. Оно характеризует внутреннее сопротивление прибора при прохождении через него прямого тока и обычно составляет величину порядка десятых долей вольта.
  3. Выпрямленный ток — постоянная составляющая тока диода, которая при длительном протекании через диод не вызывает его перегрева, измеряется в миллиамперах или в амперах.
  4. Обратный ток — среднее значение обратного тока диода, когда к нему приложено допустимое обратное переменное напряжение. Он характеризует внутреннее сопротивление диода в обратном направлении.

Основные особенности вольт-амперной характеристики полупроводникового диода по сравнению с соответствующей характеристикой вакуумного диода заключается в следующем:

  1. При изменении знака приложенного напряжения в полупроводниковом диоде меняется направление тока, протекающего через прибор, а в вакуумном диоде оно остается неизменным.
  2. При отсутствии внешнего приложенного напряжения в полупроводниковом диоде отсутствует ток, а через вакуумный диод протекает небольшой начальный ток.
  3. При отрицательных (обратных) напряжениях через полупроводниковый диод протекает обратный ток порядка единиц и десятков микроампер, а в вакуумном диоде ток практически отсутствует.

В отличие от точечных полупроводниковых диодов, у которых большинство параметров измеряется на постоянном токе, все параметры плоскостных полупроводниковых диодов измеряют обычно на переменном токе с частотой 50 гц.

Источник

Обозначения диодов и принцип работы, ВАХ

Выпрямительные диоды — это полупроводниковые приборы, которые имеют один p-n переход и два металлических вывода. Вся система заключена в пластмассовом, металлическом, стеклянном или металлокерамическом корпусе. Предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.

Обозначение и расшифровка диодов

Обозначение выпрямительного диода на схеме согласно “ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые”. В приложении данного ГОСТа указаны размеры в модульной сетке. Выглядит это следующим образом:

обозначение диода по ГОСТ 2.730-73

Существуют различные варианты обозначения диодов.

Согласно ОСТ 11366.919-81 следующее буквенно-цифровое обозначение:

  • 1) первая буква или цифра указывает на материал:
    • 1 (Г) — германий Ge
    • 2 (К) — кремний Si
    • 3 (А) — галлий Ga
    • 4 (И) — индий In
  • 2) Вторая буква — это подкласс полупроводникового прибора. Для нашего случая — это буква Д.
  • 3) Третья цифра — функционал элемента в зависимости от класса (диоды, варикапы, стабилитроны и др.).

    Например, для выпрямительных диодов (Д):

    101. 199 — диоды малой мощности с постоянным или средним значением прямого тока менее 0,3А.

    201. 299 — диоды средней мощности с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10А.

    Также существуют диоды большой мощности с током более 10А. Отвод тепла у диодов малой мощности осуществляется через корпус, у диодов средней и большой мощности через теплоотводящие радиаторы.

    диоды Д243Б

    До 1982 года была другая классификация:

    • первая Д — характеризовала весь класс диодов
    • далее шел цифровой код:
      • от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов
      • от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов
      • от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов
      • от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов
      • от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов
      • от 501 до 600 — для умножительных диодов
      • от 601 до 700 — для видеодетекторов
      • от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов
      • от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов
      • от 801 до 900 — для стабилитронов
      • от 901 до 950 — для варикапов
      • от 951 до 1000 — для туннельных диодов
      • от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов
    • третья цифра — разновидность групп однотипных приборов

    Система JEDEC (США)

    • первая цифра — число p-n переходов (1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор)
    • далее N (типа номер) и серийный номер
    • после может идти пару цифр про номиналы и отдельные характеристики диода

    Система Pro Electron (Европа)

    По данной системе приборы делятся на промышленные и бытовые. Бытовые кодируются двумя буквами и тремя цифрами от 100 до 999. У промышленных приборов будет идти три буквы и две цифры от 10 до 99. Для диодов:

    • 1) первая буква:
      • A — германий Ge
      • B — кремний Si
      • C — галлий Ga
      • R — другие полупроводники
    • 2) Вторая буква — это буква A, указывающая на маломощные импульсные и универсальные диоды.
    • 3) Третья буква отвечает за принадлежность элемента к сфере специального применения (промышленность, военная). “Z”, “Y”, “X” или “W”.
    • 4) Четвертая — это 2х, 3х или 4х-значный серийный номер прибора.
    • 5) Дополнительный код — в нем для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.

    Система JIS (Япония)

    Применяется в странах Азии и тихоокеанского региона.

    • первая цифра — число переходов (0 — фототранзистор, фотодиод; 1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор)
    • затем буква S (semiconductors) — полупроводниковые
    • затем буква, отвечающая за тип прибора:
      • A — ВЧ транзисторы p-n-p
      • B — НЧ транзисторы p-n-p
      • С — ВЧ транзисторы n-p-n
      • D — НЧ транзисторы n-p-n
      • E — диоды
      • F — тиристоры
      • G — диоды Ганна
      • H — однопереходные транзисторы
      • J — полевые транзисторы с p-каналом
      • K — полевые транзисторы с n-каналом
      • M — симметричные тиристоры
      • Q — светоизлучающие диоды
      • R — выпрямительные диоды
      • S — малосигнальные диоды
      • T — лавинные диоды
      • V — варикапы, p-i-n диоды, диоды с накоплением заряда
      • Z — стабилитроны, стабисторы, ограничители

      В нашем случае будет буква R.

    • Рег. номер прибора
    • Модификация прибора
    • Далее может идти индекс, описывающий специальные свойства

    Существуют и специальные обозначения от фирм-изготовителей, которые отличаются от приведенных выше.

    Принцип действия выпрямительного диода

    Полупроводники по своим электрическим свойствам являются чем-то средним между проводниками и диэлектриками.

    разница проводников, диэлектриков и полупроводников

    Как ведет себя диод при прямом и обратном включении

    Прямое направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наименьшее сопротивление.

    Обратное направление — направление постоянного тока, в котором диод имеет наибольшее сопротивление.

    Рассмотрим поведение тока в цепи при прямом и обратном включении на переменное и постоянное напряжение. Изначально мы будем иметь синусоиду, которая получается от источника переменного тока.

    включение диода на переменном токе в EWB

    При таких способах подключения отсекается половина синусоиды положительная или отрицательная. На выходе — пульсирующий переменный ток одного знака (считай, постоянный, только загвоздка в том, что им никто не пользуется).

    • анод (для прямого включения подключаем к плюсу), основание треугольника
    • катод (подключаем к минусу для прямого включения) палочка

    Ток течет от анода к катоду, некоторые прибегают к сравнению с воронкой. В широкое горлышко жидкость проходит быстрее, чем в узкое. Принцип работы заключается в пропускании тока при прямом включении и запирании диода при обратном включении (отсутствии тока). Всё дело в запирающем слое, который испаряется или расширяется в зависимости от способа подключения диода.

    Рассмотрим поведение диода в схеме постоянного тока. На левом изображении ток, напряжение проходит — лампочка горит (черная) — это прямое включение. На правом изображении диод не пропускает достаточно тока и напряжения для загорания лампочки — обратное включение.

    направление включения диода и загорание лампочки

    ВАХ выпрямительных диодов (Ge, Si)

    Вольт-амперные характеристики диодов представляют собой графики зависимостей прямых и обратных токов (Y) и напряжений (X) при различных температурах.

    вольтамперные характеристики выпрямительных диодов

    При подаче обратного напряжения, превышающего пороговое значение, величина обратного тока возрастает и происходит пробой p-n слоя. Стоит обратить внимание и на порядки чисел по осям. Величины обратного тока на порядок меньше прямого. Значения прямого напряжения на порядок меньше обратного. По достижении порогового значения прямого напряжения прямой ток начинает увеличиваться лавинообразно.

    Разница между диодами в том, что обратный ток кремниевых диодов меньше, чем у германиевых. Поэтому, за счет большего тока, у Ge диодов пробой носит тепловой характер, у Si — преобладает электрический пробой. Мощность, рассеиваемая при одинаковых токах у германиевых диодов меньше.

    Сохраните в закладки или поделитесь с друзьями

    Источник

    

    Порядок величины обратного тока диода

    Ознакомиться с основными фотометрическими величинами; ознакомиться с принципом работы фотометра; проверить выполнение закона Ламберта для источника света

    Общие сведения

    Полупроводниковые диоды и стабилитроны

    Выпрямительные диоды и стабилитроны представляют собой полупроводниковые приборы с одним электронно-дырочным переходом (p–n-переходом).

    Одним из свойств p–n-перехода является способность изменять свое сопротивление в зависимости от полярности напряжения внешнего источника. Причем разница сопротивлений при прямом и обратном направлениях тока через p–n-переход может быть настолько велика, что в ряде случаев, например для силовых диодов, можно считать, что ток протекает через диод только в одном направлении – прямом, а в обратном направлении ток настолько мал, что им можно пренебречь. Прямое направление – это когда электрическое поле внешнего источника направлено навстречу электрическому полю p–n- перехода, а обратное – когда направления этих электрических полей совпадают. Полупроводниковые диоды, использующие вентильное свойство p–n-перехода, называются выпрямительными диодами и широко используются в различных устройствах для выпрямления переменного тока.

    Вольт-амперная характеристика (ВАХ) идеализированного p–n-перехода описывается известным уравнением

    где \(I_0\) – обратный ток p–n-перехода; \(q\) – заряд электрона \(q=1,6\cdot 10^<-19>\ Кл\); \(k\) – постоянная Больцмана \(k = 1,38⋅10^ <-23>Дж\cdot град\); \(T\) – температура в градусах Кельвина.

    Графическое изображение этой зависимости представлено на рис. 1.1.

    Вольт-амперная характеристика имеет явно выраженную нелинейность, что предопределяет зависимость сопротивления диода от положения рабочей точки.

    Различают сопротивление статическое \(R_<ст>\) и динамическое \(R_<дин>\). Статическое сопротивление \(R_<ст>\), например в точке А (рис. 1.1), определяется как отношение напряжения \(U_A\) и тока \(I_A\), соответствующих этой точке: \(R_ <ст>= \frac = tg<\alpha>\)

    Динамическое сопротивление определяется как отношение приращений напряжения и тока (рис. 1.1): \(R_ <дин>= \frac<\Delta U><\Delta I>\);

    Рис. 1.1Рис. 1.1

    При малых значениях отклонений \(∆U\) и \(ΔI\) можно пренебречь нелинейностью участка АВ характеристики и считать его гипотенузой прямоугольного треугольника АВС, тогда \(R_ <дин>= tgβ\).

    Если продолжить линейный участок прямой ветви вольт-амперной характеристики до пересечения с осью абсцисс, то получим точку \(U_0\) – напряжение отсечки, которое отделяет начальный пологий участок характеристики, где динамическое сопротивление \(R_<дин>\) сравнительно велико от круто изменяющегося участка, где \(R_<дин>\) мало.

    При протекании через диод прямого тока полупроводниковая структура нагревается, и если температура превысит при этом предельно допустимое значение, то произойдет разрушение кристаллической решетки полупроводника и диод выйдет из строя. Поэтому величина прямого тока диода ограничивается предельно допустимым значением \(I_<пр.max>\) при заданных условиях охлаждения.

    Если увеличивать напряжение, приложенное в обратном направлении к диоду, то сначала обратный ток будет изменяться незначительно, а затем при определенной величине \(U_<проб>\) начнется его быстрое увеличение (рис. 1.2), что говорит о наступлении пробоя p–n-перехода. Существуют несколько видов пробоя p–n-перехода в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике, от ширины p–n-перехода и температуры:

    • обратимый (электрический пробой);
    • необратимые (тепловой и поверхностный пробои).

    Необратимый пробой для полупроводникового прибора является нерабочим и недопустимым режимом.

    Рис. 1.2Рис. 1.2

    Поэтому в паспортных данных диода всегда указывается предельно допустимое обратное напряжение \(U_<проб>\) (напряжение лавинообразования), соответствующее началу пробоя p–n-перехода. Обратное номинальное значение напряжения составляет обычно \(0,5\ U_<проб>\) и определяет класс прибора по напряжению. Так, класс 1 соответствует 100 В обратного напряжения, класс 2 – 200 В и т. д.

    В некоторых случаях этот режим пробоя используют для получения круто нарастающего участка ВАХ, когда малому приращению напряжения \(∆U\) соответствует большое изменение тока \(ΔI\) (рис. 1.2). Диоды, работающие в таком режиме, называются стабилитронами, т. к. в рабочем диапазоне при изменении обратного тока от \(i_<обр. min>\) до \(i_<обр. max>\) напряжение на диоде остается почти неизменным, стабильным. Поэтому для стабилитронов рабочим является участок пробоя на обратной ветви ВАХ, а напряжение пробоя (напряжение стабилизации) является одним из основных параметров.

    Стабилитроны находят широкое применение в качестве источников опорного напряжения, в стабилизаторах напряжения, в качестве ограничителей напряжения и др.

    Эксперимент

    Оборудование

    Оборудование, используемое в лабораторной работе: вритуальный лабораторный стенд, блок No 1 (схемы А1–А4); комбинированный прибор «Сура», мультиметры; соединительные провода.

    Порядок выполнения работы

    Изучить схемы включения полупроводниковых приборов А1–А4 (рис. 1.3–1.6) для снятия вольт-амперных характеристик ВАХ диода и стабилитрона.

    Ознакомиться с устройством лабораторного стенда, найти на стенде блок №1 и схемы А1–А4.

    Порядок выполнения задания №1 «Исследование полупроводникового диода»

    Экспериментальное получение прямой ветви ВАХ диода \(I_ <пр>= f(U_<пр>)\) с использованием схемы A1, представленной на рис. 1.3.
    1. Установить напряжение источника питания на 5 В
    2. Выставить значение потенциометра \(R1\) на максимум.
    3. Включить установку
    4. Внимательно изучить схему

    Рис. 1.3Рис. 1.3

  • После проверки схемы преподавателем включить сетевой тумблер.
  • Уменьшая значение потенциометра \(R1\), изменять прямое напряжение диода в пределах, указанных в табл. 1.1, фиксируя значения тока через каж- дые 0,1–0,05 В. Результаты измерений занести в табл. 1.1.
    Таблица 1.1

    \(U_<пр>\), В 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
    \(I_<пр>\), A
  • Выключить установку.
  • Экспериментальное получение обратной ветви ВАХ диода \(I_ <обр>= f(U_<обр>)\) с использованием схемы А2, представленной на рис. 1.4.
    1. Установить напряжение блока питания 30 В.
    2. Выставить значение потенциометра \(R2\) на максимум
    3. Внимательно изучить схему установки

    Рис. 1.4Рис. 1.4

  • Включить установку
  • Уменьшая значение потенциометра \(R2\), изменять обратное напряжение на диоде в пределах, указанных в табл. 1.2. Значения тока фиксировать через каждые 5 В. Результаты измерений занести в табл. 1.2.
    Таблица 1.2

    \(U_<обр>\), В 5 10 15 20 25 30
    \(I_<обр>\), A
  • Выключить установку.
  • По данным табл. 1.1 и 1.2 построить ВАХ диода.

    По ВАХ или таблицам определить:
    1. Статическое сопротивление диода в прямом включении \(R_<ст.пр>=\frac>>\) при U пр = 0,4 В и U пр = 0,1 В.
    2. Динамическое сопротивление диода в прямом включении \(R_<дин.пр>=\frac<\Delta I_<пр>><\Delta U_<пр>>\) на начальном участке ВАХ ( U пр =0 В и U пр = 0,1 В ) и на участке насыщения ВАХ ( U пр = 0,4 В и U пр = 0,45 В ).
    3. Статическое сопротивление диода в обратном включении \(R_<ст.обр>=\frac>>\) при U обр = 5 В и U обр = 25 В.
    4. Динамическое сопротивление диода в обратном включении \(R_<дин.обр>=\frac<\Delta I_<обр>><\Delta U_<обр>>\) на начальном участке ВАХ ( U пр =0 В и U пр = 5 В ) и на участке насыщения ВАХ ( U пр = 20 В и U пр = 25 В ).

    Порядок выполнения задания No2 «Исследование полупроводникового стабилитрона»

    Экспериментальное получение прямой ветви ВАХ стабилитрона \(I_ <пр>= f(U_<пр>)\) с использованием схемы A3, представленной на рис. 1.5.
    1. Установить напряжение источника питания на 5 В
    2. Выставить значение потенциометра \(R5\) на максимум.
    3. Включить установку
    4. Внимательно изучить схему

    Рис. 1.5Рис. 1.5

  • После проверки схемы преподавателем включить сетевой тумблер.
  • Уменьшая значение потенциометра \(R5\), изменять прямое напряжение стабилитрона в пределах, указанных в табл. 1.3, фиксируя значения тока через каж- дые 0,1 В. Результаты измерений занести в табл. 1.3.
    Таблица 1.3

    \(U_<пр>\), В 0.1 0.2 0.3 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
    \(I_<пр>\), A
  • Выключить установку.
  • Экспериментальное получение обратной ветви ВАХ стабилитрона \(I_ <обр>= f(U_<обр>)\) с использованием схемы А4, представленной на рис. 1.6.
    1. Установить напряжение блока питания 30 В.
    2. Выставить значение потенциометра \(R7\) на максимум
    3. Внимательно изучить схему установки

    Рис. 1.6Рис. 1.6

  • Включить установку
  • Уменьшая значение потенциометра \(R7\), изменять обратное напряжение на стабилитроне в пределах, указанных в табл. 1.4. Увеличить число фикси- руемых точек характеристики, начиная с 3 В. Для каждого значения напряжения изме- рить ток. Результаты измерений занести в табл. 1.4.
    Таблица 1.4

    \(U_<обр>\), В 1 2 3 3,5 4 4,5 5 5,2 5,4 5,6
    \(I_<обр>\), A
  • Выключить установку.
  • По данным табл. 1.3 и 1.4 построить ВАХ стабилитрона.

    Источник