Меню

Транзисторы низким напряжением насыщения

NXP выпустила первые транзисторы с низким напряжением насыщения в корпусах DFN2020

NXP PBSS4330PAS PBSS5330PAS

NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов PBSS4330PAS и PBSS5330PAS равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ. Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.

NXP - DFN2020D-3

Новые транзисторы стали первыми из приборов NXP с низким напряжения насыщения, выпускающимися в небольших безвыводных пластиковых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требования стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175 °C.

Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями коллектор-эмиттер до 100 В.

Особенности и преимущества

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Большой постоянный и импульсный ток коллектора
  • Высокий коэффициент передачи тока при больших токах коллектора
  • Высокая эффективность, обусловленная малым тепловыделением
  • Рабочая температура перехода до 175 °C
  • Меньшая площадь, занимаемая на печатной плате
  • Миниатюрный безвыводной пластиковый корпус DFN2020D-3 для поверхностного монтажа с контактами для пайки к торцевым поверхностям
  • Вскрытое теплоотводящее основание для улучшения тепло- и электропроводности
  • Пригодны для автоматизированного оптического контроля качества паяных соединений
  • Соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101

Основные области применения

  • Коммутаторы нагрузки
  • Устройства с батарейным питанием
  • Устройства управления питанием
  • Зарядные устройства
  • Силовые ключи схем управления моторами и вентиляторами
Читайте также:  Стабилизатор напряжения эра неисправности

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

Источник



Транзисторы низким напряжением насыщения

Иногда при проектировнии различных устройств возникает необходимость в транзисторах с малым напряжением насыщения. Зарубежные производители предлагают достаточное количество таких транзисторов, но достать их порой бывает проблематично.

Существуют и отечественные транзисторы данного класса. Правда, найти их также непросто.

Отечественные транзисторы с низким напряжением насыщения
КТ660Б, транзистор структуры n-p-n. Его прототипом являеются зарубежные BC337 и BC338. Параметры:

Напряжение: 25В
h21э: 200-450
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=500ma, Iб=50ма: 0,5В
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=10ma, Iб=50ма: 0,035В
Ток коллектора: 800мА (1000мА имп)

КТ645Б, транзистор структуры n-p-n, зарубежные прототипы — BC547, BC238.

Напряжение: 30В
h21э: 80-200
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=150ma, Iб=15ма: 0,5В
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=10ma, Iб=1ма: 0,05В
Ток коллектора: 300мА (600мА имп)

КТ529 (p-n-p) и КТ530 (n-p-n) — комплементарная пара транзисторов со сверхмалым прямым падением напряжения.

Напряжение: 40В
Iк макс: 1000мА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=300мА, Iб=10мА): 0,2В
h21э: 180
Макс.мощность: 0,5Вт

И несколько зарубежных транзисторов.

Транзисторы зарубежного производства low saturation
2SD880 — низкочастотный кремниевый транзистор структуры n-p-n, комплементарен к B834.

Напряжение: 60В
Ток: 3А
Мощность: 30Вт
Напряжение насыщения: 0.4-1В
f=3МГц

2SD882 — транзистор структуры n-p-n, предназначенный для выходного каскада 3-ваттного УНЧ, регуляторов напряжения, преобразователей напряжения, управления электромагнитным реле.

Напряжение: 30В
Ток: 3А (7А имп)
h21э: 60-400
Напряжение насыщения: не более 0.5В
f: 90МГц

Источник

ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг

Транзисторы — режим насыщения

Что такое режим насыщения транзистора

Между простой переключающей схемой и линейным усилителем на транзисторе имеется очевидное различие. В нормально работающем линейном усилителе коллекторный ток всегда прямо пропорционален базовому току. В переключающей схеме, такой как на рис. 1., коллекторный ток определяется, главным образом, напряжением питания VCC и сопротивлением нагрузки RL. Режим насыщения транзистора является достаточно важным и заслуживает подробного обсуждения.

Читайте также:  Сечение провода по току напряжение 24 вольта

Иллюстрация режима насыщения

Рис. 1. Иллюстрация режима насыщения. Транзистор действует как ключ для включения лампы.

Рассмотрим, что происходит с коллекторным током в схеме на рис. 1, если базовый ток постепенно увеличивается, начиная от нуля. Когда ключ S1 разомкнут, базовый ток не течет и ток коллектора ничтожно мал. Замыкание S1 приводит к появлению тока базы IB = VCC/RB, где мы пренебрегли разностью потенциалов на переходе база-эмиттер. Ток коллектора, протекающий по нагрузке RL, равен IC=hFEVCC/RB. Для конкретной схемы, приведенной на рисунке, при hFE = 100 и при максимальном значении RB (50 кОм) получим:

IC=100×10/5000 А=20 мА

Падение напряжения на RL определяется произведением RLIC и в нашем случае равно 50 х 0,02 = 1 В. Транзистор при этом находится в линейном режиме; уменьшение RB приводит к увеличению тока базы, увеличению тока коллектора и, следовательно, к увеличению падения напряжения на RL. В этих условиях схема могла бы быть использована как усилитель напряжения.

Теперь рассмотрим случай, когда

и ток базы равен

Следовательно, коллекторный ток равен

С точки зрения нагрузки транзистор ведет себя как пара контактов ключа. Из закона Ома следует, что ток нагрузки в этой ситуации не может превышать величины VCC/RL. Поэтому дальнейшее увеличение тока базы не может увеличить ток коллектора, который определяется теперь только сопротивлением нагрузки и напряжением питания. Транзистор находится в насыщении. На практике при насыщении транзистора между коллектором и эмиттером всегда остается небольшое напряжение, обычно обозначаемое VCE(sat). Как правило, оно меньше 1 В и может доходить до 0,1 B y транзисторов, специально предназначенных для работы в качестве ключей. Обычно VCE(sat) уменьшается по мере того, как через переход база-эмиттер течет все больший ток, то есть в случае, когда отношение тока коллектора IC к току базы IB становится значительно меньше, чем коэффициент усиления тока транзистора hFE.

Читайте также:  Указатель низкого напряжения универсальный элин 1 сз до 1000в

Грубо говоря, глубокое насыщение (малое значение VCE(sat)) имеет место, когда

Источник